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Transistor NPN 2N2222A en encapsulado TO-92

YXZ022

Nuevo

Transistor bipolar NPN 2N2222A de propósito general, en encapsulado TO-92, utilizado para conmutación y amplificación de señales en circuitos electrónicos. Es apropiado para etapas de control, conmutación de pequeñas cargas, amplificación de señal y proyectos con microcontroladores.

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Descripción

El 2N2222A es un transistor bipolar NPN de silicio ampliamente utilizado en circuitos de electrónica de propósito general. Su funcionamiento permite emplearlo como dispositivo de conmutación electrónica o amplificación de señales, dependiendo de la configuración del circuito. La versión TO-92 documentada por ON Semiconductor corresponde al P2N2222A, con una tensión colector-emisor de 40 V y una corriente continua de colector de 600 mA. El transistor dispone de tres terminales —colector, base y emisor— y está destinado a aplicaciones de pequeña señal y conmutación.

transistor-npn-2n2222a-to92.jpg

 

Especificaciones técnicas verificadas

Característica Especificación
Tipo de componente Transistor bipolar BJT
Polaridad NPN
Familia / referencia 2N2222A
Referencia TO-92 documentada P2N2222A
Material semiconductor Silicio
Encapsulado TO-92
Montaje Through-Hole
Tensión colector-emisor VCEO 40 V
Tensión colector-base VCBO 75 V
Tensión emisor-base VEBO 6 V
Corriente continua de colector IC 600 mA
Disipación a TA = 25 °C 625 mW
Disipación a TC = 25 °C 1,5 W
Temperatura de unión −55 a +150 °C
Resistencia térmica unión-ambiente 200 °C/W
Resistencia térmica unión-carcasa 83,3 °C/W

Características eléctricas verificadas del P2N2222A

Parámetro Condición Valor
Ganancia DC hFE IC = 0,1 mA, VCE = 10 V mín. 35
Ganancia DC hFE IC = 1 mA, VCE = 10 V mín. 50
Ganancia DC hFE IC = 10 mA, VCE = 10 V mín. 75
Ganancia DC hFE IC = 150 mA, VCE = 10 V mín. 100
Ganancia DC hFE IC = 150 mA, VCE = 1 V mín. 50
Ganancia DC hFE IC = 500 mA, VCE = 10 V mín. 40
VCE(sat) IC = 150 mA, IB = 15 mA máx. 0,3 V
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA máx. 1,0 V
VBE(sat) IC = 150 mA, IB = 15 mA 0,6–1,2 V
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA máx. 2,0 V
Frecuencia de transición fT IC = 20 mA, VCE = 20 V mín. 300 MHz

Distribución de pines

Aquí es especialmente importante no generalizar.

Para el P2N2222A TO-92 de ON Semiconductor, la hoja de datos indica:

Pin Terminal
1 Emisor (E)
2 Base (B)
3 Colector (C)

Características principales

Característica Descripción
Transistor NPN Permite realizar funciones de conmutación y amplificación
Encapsulado TO-92 Formato compacto para montaje mediante agujeros pasantes
Propósito general Adecuado para diferentes etapas de control y señal
Conmutación electrónica Puede utilizarse para controlar cargas desde una etapa de señal
Amplificación Puede emplearse en etapas de amplificación de pequeña señal
Tres terminales Colector, base y emisor

Aplicaciones

El 2N2222A se utiliza en circuitos de conmutación, amplificación de señales, etapas de control, circuitos lógicos, interfaces con microcontroladores, temporizadores, osciladores, indicadores LED, pequeños actuadores y proyectos de electrónica y robótica.

La documentación de fabricantes lo clasifica como transistor NPN de silicio para aplicaciones de conmutación y amplificación.

Recomendaciones de uso

Para esta referencia recomiendo verificar siempre la hoja de datos correspondiente al fabricante y lote antes de utilizar el transistor cerca de sus límites máximos. En particular, no se debe asumir que todos los componentes comercializados como 2N2222A tienen exactamente los mismos valores de VCEO, IC, disipación o distribución de pines.

Además, los valores de 40 V y 600 mA indicados anteriormente corresponden al P2N2222A de ON Semiconductor, por lo que no deben presentarse como especificaciones garantizadas de esta unidad JULPIN mientras no se confirme que pertenece a ese fabricante.


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Referencias específicas

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